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自旋电子学,这一曾获诺贝尔物理学奖的新兴领域,正日益成为科技前沿的焦点。它利用电子自旋属性实现数据存储与计算,摆脱了传统半导体集成电路技术的束缚。自旋芯片技术,作为自旋电子学与集成电路的融合创新,被业界广泛认为是“后CMOS时代”实现高性能需求的关键技术。
北京航空航天大学集成电路科学与工程学院教授彭守仲团队从零起步,自主研发高精度磁控溅射设备,精度达0.1纳米。在此基础上,他们成功研制出国际首款反铁磁自旋存储芯片,功耗大幅降低,性能达到国际领先水平。由于采用了反铁磁这种新材料,该芯片具备了极强的抗外界磁场干扰能力,同时兼具低功耗和高速写入的特性。
在彭守仲看来,青年科技工作者在选择科研方向时,要将国家战略需求作为一项重要考量因素“例如,我们从事的自旋电子学研究,正是服务于国家在新型非易失存储芯片和存算一体芯片领域的重大战略需求。”
记者:宋雅娟 肖春芳
制作:吕鑫平(实习)
